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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDB8832-F085

N沟道,电流:80A,耐压:30V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDB8832-F085
商品编号
C3277617
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))2.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)100nC@5V
输入电容(Ciss)11.4nF
反向传输电容(Crss)1.26nF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)2.14nF

商品概述

该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,适用于要求极高的高效转换器。

商品特性

  • 在VGS = 5 V、ID = 80 A条件下,典型导通电阻rDS(on) = 1.5 mΩ
  • 在VGS = 5 V条件下,典型栅极电荷Qg(5) = 100 nC
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷体二极管
  • 具有非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101标准
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 12V汽车负载控制
  • 起动机/交流发电机系统
  • 电子动力转向系统
  • 防抱死制动系统(ABS)
  • 直流-直流转换器

数据手册PDF