NDB6020P
P沟道,电流:-24A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDB6020P
- 商品编号
- C3277598
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 725pF |
商品概述
这些逻辑电平 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用,如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- RDS(ON) = 0.07 Ω \sim VGS = - 2.7 V
- RDS(ON) = 0.075 Ω @ VGS = - 2.5 V
- -24 A, -20 V, RDS(ON) = 0.05 Ω @ VGS = -4.5 V
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为 175°C。
- 高密度单元设计,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
- TO - 220 和 TO - 263 (D2PAK) 封装,适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
-汽车-DC/DC 转换器-PWM 电机控制-其他电池供电电路