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STB170NF04
N沟道,电流:80A,耐压:40V
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、4.4 mOhm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB170NF04
- 商品编号
- C3277603
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用了独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进技术,减少了关键对准步骤,从而具有出色的制造重复性。其结果是该晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
-标准阈值驱动
应用领域
-汽车开关应用