FQB2P40TM
P沟道,电流:-2.0A,耐压:-400V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB2P40TM
- 商品编号
- C3277573
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些是 N 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率 MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率 MOSFET 均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 2.0A,-400V,RDS(on) = 6.5Ω(VGS = -10 V时)
- 低栅极电荷(典型值10 nC)
- 低Crss(典型值6.5 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力