IRFW820BTM
N沟道,电流:2.5A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW820BTM
- 商品编号
- C3277582
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 2.5A、500V,VGS = 10V时,RDS(on) = 2.6Ω
- 低栅极电荷(典型值14nC)
- 低Crss(典型值10pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 高效开关电路