FQB13N06LTM
1个N沟道 耐压:60V 电流:13.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB13N06LTM
- 商品编号
- C3277583
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 13.6A、60V,RDS(on) = 0.11 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值4.8 nC)
- 低Crss(典型值17 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理的高效开关