FDB15N50_NL
N沟道,电流:15A,耐压:500V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB15N50_NL
- 商品编号
- C3277566
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单(典型值33 nC)
- 改善了栅极、雪崩和高重复施加dv/dt的鲁棒性
- 降低了RDS(on)(在VGS = 10 V、ID = 7.5 A时典型值为330 mΩ)
- 降低了米勒电容和低输入电容(典型值Crss = 16 pF)
- 提高开关速度,降低电磁干扰
- 额定结温为175°C
应用领域
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源