FDB8870-F085
N沟道,电流:160A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8870-F085
- 商品编号
- C3277547
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 970pF |
商品概述
FDZ294N将仙童先进的2.5V指定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，最大程度地减小了PCB空间和漏源导通电阻。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低漏源导通电阻。
商品特性
- rDS(ON) = 3.9 m Ω,VGS = 10 V,ID = 35 A
- rDS(ON) = 4.4 m Ω,VGS = 4.5 V,ID = 35 A
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 r\textDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器