SIHB5N80AE-GE3
N沟道 MOSFET,电流:2.8A,耐压:800V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB5N80AE-GE3
- 商品编号
- C3277558
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.17Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 321pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
该系列低电荷功率MOSFET的栅极电荷明显低于传统功率MOSFET。采用新型LCDMOS（低电荷功率MOSFET）技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升，降低了栅极驱动要求，节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用新型低电荷功率MOSFET可在大电流下实现几MHz的频率。 这些器件的改进与功率MOSFET所具有的经证实的耐用性和可靠性相结合，为设计人员提供了一种适用于开关应用的新型功率晶体管标准。
商品特性
- 低品质因数(FOM)Ron × Qg
- 低有效电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 集成齐纳二极管静电放电保护
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源