HUFA76639S3S
1个N沟道 耐压:100V 电流:51A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76639S3S
- 商品编号
- C3277561
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源用 DC-AC 转换器以及电机控制。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.026 欧姆,VGS = 10V
- rDS(ON) = 0.027 欧姆,VGS = 5V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE®和SABERTM电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线
应用领域
- 高效开关式 DC/DC 转换器
- 开关电源
- 不间断电源用 DC-AC 转换器
- 电机控制