FDB8445-F085
N沟道,电流:70A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8445-F085
- 商品编号
- C3277542
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.86nF |
商品概述
FDZ7296将先进的PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，最大限度地减少了PCB空间和漏源导通电阻（RDS(ON)）。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 70 A 条件下,典型 rDS(on) = 6.8 m Ω
- 在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(10) = 44 nC
- 低米勒电荷
- 低 \mathbfQrr 体二极管
- 具备单脉冲/重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
- 通过 AEC Q101 认证
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子变速器
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 系统的主开关