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SIHF9540S-GE3实物图
  • SIHF9540S-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHF9540S-GE3

1个P沟道 耐压:100V 电流:19A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHF9540S-GE3
商品编号
C3277545
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)61nC@10V
输入电容(Ciss)1.4nF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D2PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

  • 表面贴装
  • 提供卷带包装
  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定值
  • P沟道
  • 175°C工作温度
  • 快速开关

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源

数据手册PDF