SIHF840LCS-GE3
N沟道,电流:5.1A,耐压:500V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHF840LCS-GE3
- 商品编号
- C3277541
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
该系列低电荷功率MOSFET的栅极电荷明显低于传统功率MOSFET。采用新型LCDMOS(低电荷功率MOSFET)技术,在不增加产品成本的情况下实现了器件性能的提升,降低了栅极驱动要求,节省了系统总成本。此外,在各种高频应用中可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用新型低电荷功率MOSFET可在大电流下实现几MHz的频率。 这些器件的改进与功率MOSFET所具有的经证实的耐用性和可靠性相结合,为设计人员提供了一种适用于开关应用的新型功率晶体管标准。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强型30 V VGS额定值
- 降低Ciss、Coss、Crss
- 极高频率操作
- 重复雪崩额定