SIHF840LCS-GE3
N沟道,电流:5.1A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHF840LCS-GE3
- 商品编号
- C3277541
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDP6670AS采用单片SyncFET技术，集成了肖特基二极管。FDP6670AS/FDB6670AS作为同步整流器中的低端开关，其性能与FDP6670A/FDB6670A与肖特基二极管并联时的性能无异。
商品特性
- 31 A、30 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 8.5 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值28nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和高电流处理能力