STB33N60DM6
N沟道,电流:25A,耐压:600V
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描述
N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET,D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB33N60DM6商品编号
C3277533商品封装
D2PAK(TO-263)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@10V,12.5A | |
耗散功率(Pd) | 190W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@100V | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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