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FDP14AN06LA0-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培，漏源击穿电压达60伏特，导通电阻仅为11毫欧，栅源电压耐受值为20伏。凭借低导通损耗与高电流承载能力，此器件适用于大电流开关场景，如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元，能有效提升系统效率并降低热设计难度。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP14AN06LA0-HXY
商品编号: C54582703
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.724克(g)

商品参数

FDP14AN06LA0采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。