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HUF76439P3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备60安培漏极电流与60伏漏源击穿电压，导通电阻仅为11毫欧，栅源耐压20伏。低导通阻抗有效减少功率损耗与发热，适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统。在高负载切换场景中，其参数特性可保障电路稳定运行，优化能源转换效率并简化散热设计，满足高性能电子设备对功率器件的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HUF76439P3-HXY
商品编号: C54582704
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.732克(g)

商品参数

HUF76439P3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。