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FDZ193P
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ193P
- 商品编号
- C462749
- 商品封装
- WLCSP-6(1x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDZ193P采用先进的1.7V PowerTrench工艺和先进的“小间距”晶圆级芯片封装（WLCSP）工艺设计，可最大限度减少PCB空间和导通电阻rDS(on)。这款先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破，使该器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 90 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 130 mΩ
- 在VGS = -1.7 V、ID = -1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 300 mΩ
- 占用PCB面积1.5 mm2,不到2 x 2 BGA面积的50%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.65 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护