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NID9N05ACLT4G

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NID9N05ACLT4G
商品编号
C462930
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.374克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)52V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))67mΩ@12V,9A
耗散功率(Pd)1.74W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.75V
栅极电荷量(Qg)7nC@4.5V
输入电容(Ciss)250pF@40V
反向传输电容(Crss)40pF@40V
工作温度-55℃~+175℃
配置共源

商品特性

  • 栅极与源极之间的二极管钳位
  • ESD 保护 - 人体模型(HBM)5000 V
  • 有源过压栅极至漏极钳位
  • 可扩展至更低或更高的导通电阻 RDS(on)
  • 内部串联栅极电阻
  • 通过 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准

应用领域

  • 汽车和工业市场:螺线管驱动器、灯驱动器、小型电机驱动器

数据手册PDF