温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HUF75344G3
1个N沟道 耐压:55V 电流:75A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。 以前的开发类型为TA75344。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75344G3
- 商品编号
- C463040
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 285W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.17nF |
优惠活动
购买数量
(450个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个450个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单