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FDB0250N807L
1个N沟道 耐压:80V 电流:240A
- 描述
- 此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0250N807L
- 商品编号
- C463236
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.4nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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