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FQP45N15V2
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
- 描述
- 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP45N15V2
- 商品编号
- C463267
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.764克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,22.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.03nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 45 A、150 V，RDS(on) = 40 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 22.5 A
- 低栅极电荷（典型值72 nC）
- 低Crss（典型值135 pF）
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用