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HGTG40N60B3
HGTG40N60B3
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTG40N60B3
- 商品编号
- C463280
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@15V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.05mJ | |
| 工作温度 | - |
商品概述
HGTG40N60B3是一种MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。该IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要，如交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。
商品特性
- 70 A，600 V，Tc = 25°C
- 600 V开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在Tj = 150°C时为100 ns
- 短路额定值
- 低传导损耗
- 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 电源
- 螺线管驱动器
- 继电器驱动器
- 接触器驱动器