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HGTG40N60B3
HGTG40N60B3
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTG40N60B3
- 商品编号
- C463280
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 330A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V；1.4V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2V@15V,40A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.05mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 800uJ；2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一种MOS栅极高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的特点。它具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态损耗。其导通压降在25摄氏度至150摄氏度之间变化平缓。
商品特性
- 70安培，600伏特，在壳温25摄氏度下
- 具备600伏特开关安全工作区能力
- 典型下降时间：在结温150摄氏度下为100纳秒
- 具备短路耐受能力
- 低导通损耗
- 该器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合相关规范
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 电源
- 螺线管、继电器和接触器的驱动器