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KSH112TM
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
-高直流电流增益-集电极-发射极间内置阻尼二极管-引脚成型,适用于表面贴装应用(无后缀)-直引脚(I-PAK,后缀为“-I”)-电气特性与常用的TIP112相似
应用领域
-表面贴装用D-PAK封装