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NGTB50N60FWG
NGTB50N60FWG
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- 描述
- 这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用坚固且经济高效的沟槽结构，在严苛的开关应用中具备卓越性能，兼具低导通压降和极小的开关损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NGTB50N60FWG
- 商品编号
- C463382
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 输出电容(Coes) | 275pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@350uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.3nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 117ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 285ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 77ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 170pF |
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