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NSS12100M3T5G实物图
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NSS12100M3T5G

PNP 电流:1A 电压:12V

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描述
低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSS12100M3T5G
商品编号
C463395
商品封装
SOT-723​
包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)12V
耗散功率(Pd)460mW
直流电流增益(hFE)200@10mA,2V
属性参数值
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))30mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

数据手册PDF

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