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NTMFS5C426NT1G
N沟道MOSFET，40 V，1.3 mΩ，235 A
- 描述
- 特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C426NT1G
- 商品编号
- C463402
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 235A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 128W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@170uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准