温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCD9N60NTM
1个N沟道 耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术产品，这使其有别于传统的SJ MOSFET。这项先进技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和高耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD9N60NTM
- 商品编号
- C463456
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47619克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.5 A的条件下,RDS(on) = 330 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 17.8 nC)
- 低有效输出电容
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)
- 服务器/电信电源
- 平板电视电源
- ATX电源
- 工业电源应用