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FDMS7672
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 28A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7672
- 商品编号
- C463468
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 18 A 时,最大 rDS(on) = 4.0 m Ω
- 在 VGS = 7 V、ID = 16 A 时,最大 rDS(on) = 4.5 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低RDS(ON)和高效率
- 同步场效应管肖特基体二极管
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 进行 UII L 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- DC/DC 转换器的同步整流器
- 笔记本电脑 Vcore/ GPU 低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信二次侧整流