温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS7672
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 28A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7672
- 商品编号
- C463468
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.96nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 典型导通状态漏源电阻RDS(on) = 0.5 mΩ（栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 80 A时）
- 典型总栅极电荷Qg(tot) = 220 nC（栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 80 A时）
- 非钳位感性负载（UIS）能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 工业电机驱动器
- 工业电源
- 工业自动化
- 电动工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- 不间断电源（UPS）和能源逆变器
- 储能
- 负载开关