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H11D1SR2M
6引脚DIP封装高压光电晶体管光耦合器
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- 描述
- 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11D1SR2M
- 商品编号
- C463502
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.15V | |
| 输出电流 | 100mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 300V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@10mA,0.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 20% | |
| 总功耗(Pd) | 420mW | |
| 正向电流(If) | 80mA |
商品概述
4N38M、H11D1M、H11D3M和MOC8204M是光电晶体管型光耦合器。砷化镓红外发光二极管与高压NPN硅光电晶体管耦合。该器件采用标准的塑料六引脚双列直插式封装。
商品特性
- 高电压：
- MOC8204M，BVCEO = 400 V
- H11D1M，BVCEO = 300 V
- H11D3M，BVCEO = 200 V
- 安全与法规认证：
- UL1577，4170 VACRMS，持续1分钟
- DIN - EN/IEC60747 - 5 - 5，850 V峰值工作绝缘电压
应用领域
- 电源稳压器
- 数字逻辑输入
- 微处理器输入
- 家电传感器系统
- 工业控制