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H11G1SR2M
DC 4.17kV
- 描述
- H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11G1SR2M
- 商品编号
- C463995
- 商品封装
- PDIP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 100V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 850mV@16mA,50mA | |
| 下降时间 | 100us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 500% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 1000% | |
| 总功耗(Pd) | 290mW | |
| 正向电流(If) | 60mA |
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