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NVTFS4C13NTAG实物图
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NVTFS4C13NTAG

1个N沟道 耐压:30V 电流:40A

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描述
特性:低RDS(on),以最小化传导损耗。 低电容,以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。 可焊侧翼产品。 NVT前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVTFS4C13NTAG
商品编号
C463645
商品封装
WDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))9.4mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)26W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)15.2nC@10V
输入电容(Ciss)770pF@15V
反向传输电容(Crss)127pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

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