NVTFS4C13NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性:低RDS(on),以最小化传导损耗。 低电容,以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。 可焊侧翼产品。 NVT前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS4C13NTAG
- 商品编号
- C463645
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1500个/圆盘
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