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FQB50N06LTM
1个N沟道 耐压:60V 电流:52.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB50N06LTM
- 商品编号
- C463740
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.006克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,26.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 52.4 A、60 V，RDS(on) = 21 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 26.2 A
- 低栅极电荷（典型值24.5 nC）
- 低Crss（典型值90 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
- D²-PAK封装
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器