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FCH070N60E
1个N沟道 耐压:600V 电流:52A
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- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比，提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示，有助于管理 EMI 问题，和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中，请考虑 Super-FET II MOSFET 系列。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH070N60E
- 商品编号
- C463936
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,26A | |
| 耗散功率(Pd) | 481W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.925nF@380V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@380V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 14.8 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 7.2 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 12.4 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 9.5 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）
- 引脚无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流降压转换器
- 笔记本电脑电池电源管理
- 笔记本电脑中的负载开关