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FDMS7572S
FDMS7572S
- 描述
- N沟道,25V,49A,2.9mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7572S
- 商品编号
- C463956
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF@13V | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS7572S旨在最大限度地减少电源转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 23 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 2.9 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 4.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 湿气敏感度等级1（MSL1）的稳健封装设计
- 100%经过非钳位感性负载（UIL）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压转换器的同步整流器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 电信
- 高效直流 - 直流开关模式电源