温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTJD4158CT1G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 耐压:20V 电流:250mA 电流:880mA
- 描述
- 小信号 MOSFET，30 V/?20 V，+0.25/?0.88 A，互补，SC?88
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTJD4158CT1G
- 商品编号
- C464092
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@4.5V,0.88A | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV；610mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@5V；2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF@5V；155pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.25pF@5V；18pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 领先的20 V沟槽结构，实现低RDS(on)性能
- 静电防护栅极
- 采用SC-88封装，占位面积小（2 x 2 mm）
- NV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换
- 负载/电源管理
- 负载开关
- 手机、MP3、数码相机、个人数字助理（PDA）