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FDMS6673BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:82A
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- 描述
- FDMS6673BZ 适用于最大程度降低负载开关应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展进步，可提供最低的 RDS(on) 以及 ESD 防护。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS6673BZ
- 商品编号
- C464159
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,15.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.915nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.045nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS6673BZ专为最大限度降低负载开关应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的先进成果，实现了最低的导通电阻rDS(on)和静电放电（ESD）保护。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -15.2 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 6.8 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -11.2 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 12.5 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合，实现低导通电阻rDS(on)
- 典型人体模型（HBM）静电放电保护等级为8 kV
- 采用MSL1级坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑和服务器中的负载开关
- 笔记本电脑电池组电源管理