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FDD8453LZ
1个N沟道 耐压:40V 电流:16.4A 电流:50A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8453LZ
- 商品编号
- C467450
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别设计，可将导通电阻和开关损耗降至最低。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 6.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8.7 mΩ
- 典型HBM ESD保护等级 >7 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 同步整流器