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FDS8813NZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:18.5A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8813NZ
- 商品编号
- C467783
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,18.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.145nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）：导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费电子和计算机设备-ATX电源-工业领域-焊接设备-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-LLC电路-移相全桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥