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FDS8880
1个N沟道 耐压:30V 电流:11.6A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8880
- 商品编号
- C467784
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,11.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- rDS(on)=10mΩ, VGS=10V, ID=11.6A
- rDS(on)=12mΩ, VGS=4.5V, ID=10.7A
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- RoHS合规
- 此N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(on)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- RoHS Compliant
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