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FDMS86163P
耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86163P
- 商品编号
- C469176
- 商品封装
- PQFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款极高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计而成。其成果是显著降低了导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 在 VGS = -10 V、ID = -7.9 A 时,最大 rDS(on) = 22 m Ω
- 在 VGS = -6 V、ID = -5.9 A 时,最大 rDS(on) = 30 m Ω
- 极低导通电阻的中压P沟道硅技术,针对低栅极电荷(Qg)进行优化
- 本产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIL)测试
- 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关