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SI4850EY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:6A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 最高结温175℃。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4850EY-T1-GE3
- 商品编号
- C469335
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.262克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟道型场效应功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC