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SI7880ADP-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：可提供无卤版本。 TrenchFET功率MOSFET。 针对PWM进行优化。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07mm。 100%进行Rg测试。应用：DC/DC转换器。 台式机同步降压电路中的低端MOSFET
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7880ADP-T1-E3
- 商品编号
- C469467
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 提供无卤版本
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 针对脉宽调制(PWM)优化
- 新型低热阻PowerPAK封装,厚度仅1.07 mm
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 台式机同步降压电路中的低端MOSFET
- 次级同步整流器
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- VS-10BQ060-M3/5BT
- YLR12-2-1F-W
- YLR12-2-2F-W
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- YLR12-2-10F-W
- YLR12-2-20F-W
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- YLR25-4-0.25F-W
- YLR25-4-0.5F-W
- YLR25-4-1F-W
- YLR25-4-1.5F-W
- YLR25-4-2F-W
- GCM188R71H223KA15D
- GCM188R72A272KA37D
- GCM216R72A103KA37D
- GCM216R72A472KA37D
- GCM21BC71E475KE36L
- GJ831CR71H475KA12L