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SI7115DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:150V 电流:8.9A
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- 描述
- P沟道,-150V,-8.9A,0.295Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7115DN-T1-GE3
- 商品编号
- C469336
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 295mΩ@10V,8.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@50V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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