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SI7439DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:150V 电流:3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7439DP-T1-GE3
- 商品编号
- C469465
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,5.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 超低导通电阻，对应用至关重要
- 低热阻PowerPAK封装，厚度仅1.07 mm
- 100%进行Rg和雪崩测试
应用领域
- 中间DC/DC电源中的有源钳位
- P沟道MOSFET