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SI1308EDL-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- N沟道,30V,1.4A,0.11Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1308EDL-T1-GE3
- 商品编号
- C469327
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 132mΩ@10V,1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
本技术说明讨论了采用SC-70封装的单通道LITTLE FOOT功率MOSFET的引脚排列、封装外形、焊盘图案、评估板布局和热性能。这些新器件适用于需要小型化封装且需切换低电流（约350mA）的小信号应用，可直接使用或采用电平转换配置。与3引脚封装相比，新型6引脚SC-70封装可改善导通电阻值并增强热性能。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 典型ESD性能为1800V
应用领域
- 智能手机、平板电脑
- DC/DC转换器
- 升压转换器
- 负载开关、过压保护（OVP）开关