1个N沟道 耐压:30V 电流:1.4A
- 5+: ¥0.739843 / 个
- 50+: ¥0.603781 / 个
- 150+: ¥0.53575 / 个
- 500+: ¥0.484727 / 个
- 3000+: ¥0.387776 / 个 (折合1圆盘1163.33元)
5+: |
¥0.739843 / 个 |
50+: |
¥0.603781 / 个 |
150+: |
¥0.53575 / 个 |
500+: |
¥0.484727 / 个 |
3000+: |
¥0.387776 / 个 (折合1圆盘1163.33元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
功率(Pd) | 400mW;500mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 132mΩ@10V,1.4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 105pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |