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FQPF7N80C
1个N沟道 耐压:800V 电流:6.6A
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- 描述
- 此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF7N80C
- 商品编号
- C467788
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
商品特性
- 6.6 A、800 V,RDS(on) = 1.9 Ω(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 3.3 A
- 低栅极电荷(典型值27 nC)
- 低Crss(典型值10 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器
- AD8226ARZ
- ATTINY48-MMH
- LM4040D25IDBZR
- LM7301IM5X/NOPB
- TPS3823-25DBVR
- TLV2171IDR
- S-8261AANMD-G2NT2S
- S-8261ABPMD-G3PT2S
- S-8261ABRMD-G3RT2S
- S-8261ABMMD-G3MT2S
- S-8261DAA-M6T1U
- S-8261DAU-M6T1U
- S-8261ABBMD-G3BT2U
- S-8261ACEMD-G4ET2S
- S-8261DAK-M6T1U
- S-8261DAL-M6T1U
- S-8261DAM-M6T1U
- S-8261DAQ-M6T1U
- S-8261DAR-M6T1U
- S-8261DBB-M6T1U
- S-8261DBF-I6T1U