FDT439N
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.3A
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描述
此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用,如笔记本电脑电源管理、电池供电电路,以及直流电机控制。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDT439N商品编号
C467785商品封装
SOT-223-4包装方式
编带
商品毛重
0.162克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@4.5V,6.3A | |
功率(Pd) | 3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 670mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 500pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 43pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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