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FDT439N

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:6.3A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用,如笔记本电脑电源管理、电池供电电路,以及直流电机控制。

  • 品牌名称onsemi(安森美)
  • 商品型号

    FDT439N
  • 商品编号

    C467785
  • 商品封装

    SOT-223-4
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.162克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,6.3A
功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)670mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)500pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)43pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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