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FDT439N

1个N沟道耐压:30V 电流:6.3A

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描述: 此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDT439N
商品编号: C467785
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.162克(g)

商品参数

这款N沟道增强型场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计,可最大限度降低导通电阻,并提供卓越的开关性能。这些产品非常适合低压、低电流应用,如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。