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FDT439N
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.3A
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- 描述
- 此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT439N
- 商品编号
- C467785
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 670mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。这些产品非常适合低压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
商品特性
- 6.3 A、30 V。VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 0.045 Ω
- VGS = 2.5 V时，RDS(on) = 0.058 Ω
- 开关速度快。
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力。
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 电机驱动