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FDT457N
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT457N
- 商品编号
- C467786
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单
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