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FDT457N
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。这些产品非常适合低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路，以及直流电机控制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT457N
- 商品编号
- C467786
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能。这些产品非常适合低压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
商品特性
- 5 A、30 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.06 Ω
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.090 Ω
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-电池供电电路-直流电机控制
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