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SVF7N65F

7A、650V N沟道MOSFET

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描述: SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
品牌名称: SILAN(士兰微)
商品型号: SVF7N65F
商品编号: C467752
商品封装: TO-220F-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.297克(g)

商品参数

商品概述

SVF7N65T/F/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。改进后的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

7A、650V，RDS(导通)(典型值)=1.1Ω（VGS = 10V时）
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改善的dv/dt能力

应用领域

AC-DC电源
DC-DC转换器
H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	7A
	导通电阻(RDS(on))	1.1Ω@10V
	耗散功率(Pd)	46W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	输入电容(Ciss)	789pF
	反向传输电容(Crss)	9pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	98pF