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SVF7N65F

7A、650V N沟道MOSFET

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描述
SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
品牌名称
SILAN(士兰微)
商品型号
SVF7N65F
商品编号
C467752
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.297克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V
耗散功率(Pd)46W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21nC@10V
输入电容(Ciss)789pF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)98pF

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