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SI7315DN-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI7315DN-T1-GE3

1个P沟道 耐压:150V 电流:8.9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻。小尺寸PowerPAK封装。100% Rg和UIS测试。应用：中间DC/DC电源中的有源钳位。照明应用的H桥高端开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7315DN-T1-GE3
商品编号
C467908
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.065克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)8.9A
导通电阻(RDS(on))315mΩ@10V,8.9A
耗散功率(Pd)3.8W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.4nC@10V
输入电容(Ciss)880pF@75V
反向传输电容(Crss)35pF@75V
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)50pF

数据手册PDF

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